招聘对象：不限

工作时间要求：全职

学历要求：大专以上

性别要求：不限

职称要求：不限

年龄要求：24岁 至 40岁

岗位职责：
1、磊晶结构及元件物理、电学特性分析
2、开发建立TCAD /Silvaco器件仿真模型，着重在GaAs pHEMT,GaAs HBT, GaN HEMT等领域
3、研发及客户服务。

岗位要求：
1、半导体微电子工程、电子信息工程、材料科学或电子物理系等理工科相关专业本科及以上学历；拥有半导体物理等相关基础知识，有半导体产业先关经历者尤佳
2、熟悉pHEMT/HBT基本工作原理
3、熟悉专利数据以及技术文献查找流程,具英文读/写能力。
4、沟通协调能力佳，能吃苦，肯加班，有志长期从事半导体建模、射频技术研发工作，具备良好的团队协作能力。

2024/12/31剩余237天

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