• 福联集成电路有限公司
[急聘]GaN研发工程师
[工作地点:福州02] [招聘人数:若干]
  • 职位要求:
  • 招聘对象:不限

    工作时间要求:全职

    学历要求:本科以上

    性别要求:不限

    职称要求:不限

    年龄要求:18岁 至 40岁

  • 工作概述:
  • 设计硅基氮化镓功率器件的结构并与工艺工程师一起设计合理的工艺流程;

    对器件的电学性能进行表征和分析,并结合物理分析提出改善器件结构与性能的方案;

    与应用工程师相配合,了解应用与客户需求,并对器件做相应的改进。

  • 其他要求:



  • 任职要求:

    对功率器件的基础原理有较深入的了解,对电场分布、影响电阻和击穿电场强度的关键因素有了解,对器件的电容来源等有较好的了解;

    有很好的电子学或物理学背景,能深入分析并解决问题;有利用统计学工具分析数据能力的更佳;


    有很好的学习能力和团队合作精神;

  • 薪资福利:
  • 薪资:8000元 至 50000元
  • 招聘期限:
  • 2024/12/31剩余237天

  • 联系地址:
  • 联系地址:莆田市涵江区赤港涵新路3688号 邮政号码: 联系电话:0594-7971318 传真号码: 联 系 人:姚女士 电子邮箱:lixia_yao@unicompound.com 机构网址:

 

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